난공불락 10나노급 D램, 삼성이 뚫었다

세계 첫 양산체제

삼성전자가 메모리 반도체 분야에서 그동안 불가능의 영역으로 여겨졌던 '10나노급 D램 시대'를 세계 최초로 열었다.

삼성전자는 지난 2월부터 세계 최소 크기인 18나노(㎚) 8기가비트(Gb) D램을 양산하기 시작했다고 밝혔다. 이번에 양산한 DDR4(Double Data Rate 4)는 PC나 서버에 들어가는 메모리 반도체로 삼성전자는 올해 상반기 내로 스마트폰에 들어가는 모바일용 메모리 D램 반도체에도 10나노급 기술을 적용해 양산에 나설 계획이라고 덧붙였다. 1㎚는 10억분의 1m로 반도체 회로 간격이 그만큼 초미세 단위로 촘촘하게 설계됐음을 의미한다.

2014년 당시 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 삼성전자는 이번 10나노급 8Gb DDR4 D램 양산으로 다시 한번 메모리 반도체 기술 분야에서 새로운 이정표를 세웠다. 특히 2011년 9월 20나노급 D램을 양산한 지 4년5개월 만에 10나노급 시대에 진입한 것으로 그만큼 기술 개발이 쉽지 않았음을 보여준다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "10나노급 D램은 20나노 D램보다 속도는 30% 이상 빠르면서도 소비전력은 약 20% 절감할 수 있다"며 "독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술을 적용해 생산성도 30% 이상 끌어올렸다"고 밝혔다.

삼성전자는 이번 10나노급 D램 양산에 성공함에 따라 원가 하락에 따른 비용절감과 함께 프리미엄급에 해당하는 제품 가격 상승 효과를 동시에 노려볼 수 있게 됐다. 또 경쟁사들과의 기술 격차도 2년 이상으로 다시 벌려놨다.

[송성훈 기자]

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