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IT/과학
인텔·마이크론, 1000배 빠른 '꿈의 메모리' 개발
CBS노컷뉴스 이재기 기자
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2015-07-30 15:59
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인텔과 마이크론이 낸드플래시보다 1000배 빠른 차세대 메모리반도체 개발에 성공하자 국내 반도체 제조업체들이 바짝 긴장하고 있다.
인텔과 마이크론은 29일 비휘발성 메모리 기술인 3D 크로스포인트를 공개하고 양사 합작공장이 소재한 미국 유타주에서 양산에 들어갈 예정이라고 밝혔다.
이 메모리칩은 전원이 꺼져도 테이터가 보존되는 비휘발성 메모리이고 낸드보다 처리속도가 1000배 빠르며 집적도는 10배 개선됐다.
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인텔은 "이번에 개발한 이 기술은 기존의 개념을 뛰어넘는 전혀 새로운 개념의 카테고리"라고 강조했다.
마크 애덤스 마이크론 사장은 29일 "이 기술이 낸드플래시와 D램을 합해 785억달러 규모인 메모리칩 시장에 커다란 혁신을 몰고올 것"이라고 예견했다.
반도체업계에서는 3D크로스포인트 기술이 고성능 응용처에만 국한될 것으로 전망하지만, 인텔과 마이크론의 이번 개발을 계기로 전세계 반도체업계에서 '저전력 고용량'으로 요약되는 차세대 반도체 개발 경쟁이 후끈 달아오를 것으로 전망하고 있다.
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